Los chips desarrollados por los físicos de Quinas tienen una latencia diez veces menor que la de las memorias DRAM y duran 4.000 veces más que los circuitos integrados NAND Flash.
Hay vida más allá de los chips NAND Flash que incorporan nuestros ordenadores, smartphones y otros dispositivos para resolver el almacenamiento secundario. Durante los últimos dos años ha adquirido cada vez más relevancia una propuesta tecnológica desarrollada por un grupo de investigadores del Departamento de Física de la Universidad de Lancaster, en Reino Unido. Su tecnología tiene muy buena pinta desde el principio, pero recientemente ha sucedido algo que nos invita a contemplarla con mucho interés.
Y es que los físicos involucrados en la puesta a punto de los circuitos integrados UltraRAM, que es como se llama esta innovación, han constituido una empresa, Quinas, con el propósito de terminar el desarrollo de esta tecnología e iniciar su comercialización. No todas las iniciativas de este tipo llegan a buen puerto, pero la base tecnológica de esta propuesta es muy sólida y las ventajas que nos promete frente a los chips NAND Flash convencionales son irresistibles. Estas son las razones por las que hemos decidido hablaros de esta tecnología.
Por qué son tan prometedores los circuitos integrados UltraRAM
Los físicos de Quinas aseguran que su tecnología les ha permitido poner a punto circuitos integrados con capacidad de almacenamiento de la información no volátil y los tiempos de acceso característicos de los chips de memoria DRAM. Esto significa, en definitiva, que su propuesta combina las ventajas de las memorias NAND Flash y DRAM. Bueno, en realidad no del todo. Y es que también nos prometen que la latencia de sus chips es diez veces menor que la de las memorias DRAM. Suena realmente bien.
No obstante, estas no son las únicas bazas que juegan a favor de la tecnología UltraRAM. Sus creadores sostienen que la vida útil de estos chips es 4.000 veces más prolongada que la de los circuitos integrados NAND Flash, por lo que, sobre el papel, son capaces de almacenar información durante más de 1.000 años. Si realmente es así los problemas de fiabilidad y durabilidad que limitan la vida útil de las unidades de almacenamiento SSD pasarán definitivamente a mejor vida.
En lo que se refiere a su consumo eléctrico también nos dan una buena noticia: los chips UltraRAM consumen cien veces menos que los DRAM fabricados en el mismo nodo litográfico. Todo esto suena sorprendentemente bien, y tenemos una razón tangible que nos invita a tomárnoslo en serio más allá del hecho de que detrás de esta tecnología están científicos competentes que están realizando su investigación en una universidad respetada: Meta está interesada en esta innovación.
Los chips UltraRAM con los que están trabajando actualmente los investigadores de Quinas han sido fabricados empleando litografía de 20 nm, pero durante los próximos meses recibirán nuevos equipos que les permitirán desarrollar su tecnología de integración. En cualquier caso, los dos pilares tecnológicos sobre los que se asienta esta innovación son los equipos MBE (Molecular Beam Epitaxy) y un efecto cuántico conocido como túnel resonante.
Las máquinas MBE son las responsables de depositar sobre el sustrato la pila de capas de material compuesto semiconductor (antimoniuro de galio, arseniuro de indio y antimoniuro de aluminio). Por otro lado, el propósito de este artículo no es profundizar en el efecto de túnel resonante, pero muy a grandes rasgos se trata de un mecanismo cuántico que permite a un electrón atravesar una barrera de energía. Sea como sea la prudencia nos invita a observar la tecnología UltraRAM con reservas hasta que esté disponible comercialmente y demuestre que cumple todo lo que nos promete. Eso sí, pinta estupendamente. De eso no cabe duda.
